無錫華潤上華申請半導體器件及其製備方法專利，能夠使第一摻雜區的電場更加均勻

金融界2025年6月10日消息，國家知識產權局信息顯示，無錫華潤上華科技有限公司申請一項名爲“半導體器件及其製備方法”的專利，公開號CN120129285A，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本申請涉及一種半導體器件及其製備方法。該半導體器件包括襯底；第一摻雜區，設於所述襯底內；第一溝槽，設於所述第一摻雜區內，且從所述第一摻雜區的表面開口並沿所述襯底的厚度方向延伸；第二摻雜區，設於所述第一摻雜區內，且位於所述第一溝槽的一側；源區，設於所述第一摻雜區內；介質層，設於所述第一溝槽內；其中，所述介質層上設有第二溝槽，所述第二溝槽從所述介質層的表面開口並沿所述襯底的厚度方向延伸，沿遠離所述第二摻雜區的方向，所述第二溝槽的槽深逐漸增加；柵極導電層，填充於所述第二溝槽內。

天眼查資料顯示，無錫華潤上華科技有限公司，成立於2002年，位於無錫市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本66801.147萬美元。通過天眼查大數據分析，無錫華潤上華科技有限公司參與招投標項目3968次，財產線索方面有商標信息5條，專利信息1449條，此外企業還擁有行政許可118個。

本文源自：金融界

作者：情報員