長鑫科技申請半導體器件及其製造方法專利，提高半導體器件的可靠性

金融界2025年6月25日消息，國家知識產權局信息顯示，長鑫科技集團股份有限公司申請一項名爲“半導體器件及其製造方法”的專利，公開號CN120201721A，申請日期爲2025年04月。

專利摘要顯示，本公開實施例提供一種半導體器件及其製造方法，至少有利於提高半導體器件的可靠性。半導體器件包括：沿第一方向依次層疊設置的多個有源部，第一間隔區和第二間隔區分別位於同一有源部沿第一方向上的相對兩側，有源部包括沿第二方向依次分佈的第一摻雜區、溝道區以及第二摻雜區；沿第三方向延伸的字線結構位於溝道區朝向第一間隔區的一側，還位於溝道區沿第三方向的相對兩側；沿第一方向延伸的位線結構與多個有源部的第一摻雜區電接觸；沿第二方向延伸的電容結構與有源部的第二摻雜區電接觸；隔離層至少填充於第一間隔區內；空氣間隙位於第二間隔區內，且至少露出位線結構朝向第二間隔區的側面。

天眼查資料顯示，長鑫科技集團股份有限公司，成立於2016年，位於合肥市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本5777094.224萬人民幣。通過天眼查大數據分析，長鑫科技集團股份有限公司共對外投資了19家企業，參與招投標項目1079次，財產線索方面有商標信息229條，專利信息410條，此外企業還擁有行政許可33個。

本文源自：金融界

作者：情報員