華微電子申請超級結半導體器件的製作方法及超級結半導體器件專利，提高產品工藝容差

金融界2025年8月16日消息，國家知識產權局信息顯示，吉林華微電子股份有限公司申請一項名爲“超級結半導體器件的製作方法及超級結半導體器件”的專利，公開號CN120500066A，申請日期爲2025年05月。

專利摘要顯示，本申請提供一種超級結半導體器件的製作方法及超級結半導體器件，涉及半導體芯片技術領域，所述方法包括：在第一導電類型襯底的一側形成第一導電類型外延層；對第一導電類型外延層進行刻蝕，形成凹槽，凹槽包括暴露出第一導電類型外延層的底面及與底面連接的側壁；進行第二導電類型雜質的注入，形成覆蓋側壁的補償層，補償層內的第二導電類型雜質的濃度與側壁的傾角呈負相關；如此，在芯片製程過程中，凹槽刻蝕角度波動時可以對凹槽內雜質的整體劑量進行自對準補償，提高產品工藝容差，降低生產成本。

天眼查資料顯示，吉林華微電子股份有限公司，成立於1999年，位於吉林市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本96029.5304萬人民幣。通過天眼查大數據分析，吉林華微電子股份有限公司共對外投資了6家企業，參與招投標項目45次，財產線索方面有商標信息8條，專利信息269條，此外企業還擁有行政許可18個。

本文源自：金融界

作者：情報員