南亞科技申請半導體元件及其製造方法專利，提高了整個半導體元件的整體電性能

金融界2025年8月4日消息，國家知識產權局信息顯示，南亞科技股份有限公司申請一項名爲“半導體元件及其製造方法”的專利，公開號CN120417371A，申請日期爲2024年07月。

專利摘要顯示，本揭露提供一種半導體元件。半導體元件包含導電層、着陸墊、電容器以及層間接觸件。導電層具有溝槽。着陸墊填充於溝槽中。電容器設置於着陸墊上方。層間接觸件連接於着陸墊與電容器之間。層間接觸件的頂部的寬度大於電容器的寬度。

本文源自：金融界

作者：情報員