南亞科技申請具有不均勻厚度的介電層的半導體元件專利，本公開提供一種半導體元件及其製備方法

金融界2025年6月27日消息，國家知識產權局信息顯示，南亞科技股份有限公司申請一項名爲“具有不均勻厚度的介電層的半導體元件”的專利，公開號CN120224763A，申請日期爲2024年03月。

專利摘要顯示，本公開提供一種半導體元件及其製備方法。該半導體元件包括一基底、一介電層以及一柵極電極。該介電層至少部分嵌入該基底內。該介電層具有依第一部分和一第二部分，該第一部分具有一第一厚度，該第二部分具有一第二厚度，該第二厚度小於該第一厚度。該柵極電極通過該介電層的該第一部分而與該基底間隔開。

本文源自：金融界

作者：情報員