上海積塔半導體申請改善光刻膠層形貌的方法以及半導體器件的製備方法專利，減小 CD 白邊

金融界 2025 年 5 月 5 日消息，國家知識產權局信息顯示，上海積塔半導體有限公司申請一項名爲“改善光刻膠層形貌的方法以及半導體器件的製備方法”的專利，公開號 CN119916646A，申請日期爲 2025 年 1 月。

專利摘要顯示，本發明提供的一種改善光刻膠層形貌的方法以及半導體器件的製備方法，在面臨需要特定增厚的光刻膠層的工藝中，選擇塗雙層光刻膠的方法，利用第一光刻膠層和第二光刻膠層具有的不同折光率 n 和吸光率 k 的性質，以及通過合理控制第一光刻膠層和第二光刻膠層的厚度，使得經過曝光和顯影處理之後的形成的第一溝槽的側面形貌變得更爲垂直，減小 CD 白邊，解決了光刻過程中光刻膠層增厚的要求並能夠減少第一溝槽的底部光刻膠殘留的問題，從而更加有利於後續的刻蝕工藝，同時，第一光刻膠層和第二光刻膠層允許在光刻過程中使用不同性質的光刻膠，從而能夠適應不同工藝的要求，爲後續刻蝕工藝奠定基礎，進而提升形成的器件的質量和穩定性。

天眼查資料顯示，上海積塔半導體有限公司，成立於2017年，位於上海市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本1690740.3918萬人民幣。通過天眼查大數據分析，上海積塔半導體有限公司共對外投資了1家企業，參與招投標項目1793次，財產線索方面有商標信息9條，專利信息1042條，此外企業還擁有行政許可191個。

本文源自：金融界

作者：情報員