禾賽科技申請半導體激光器及其形成方法專利，公開半導體激光器及其形成方法

金融界2025年6月27日消息，國家知識產權局信息顯示，上海禾賽科技有限公司申請一項名爲“半導體激光器及其形成方法”的專利，公開號CN120222146A，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，公開了半導體激光器及其形成方法。一種半導體激光器，包括：襯底和外延結構。該外延結構，沿第一方向生長在襯底上，幷包括有源區堆疊結構和光子晶體結構。其中，有源區堆疊結構包括沿第一方向堆疊的多個有源區，並且光子晶體結構沿第一方向相對於有源區堆疊結構處於遠離襯底的一側。該半導體激光器產生的激光沿第一方向從所述襯底或從遠離襯底的一側出射。

天眼查資料顯示，上海禾賽科技有限公司，成立於2014年，位於上海市，是一家以從事專業技術服務業爲主的企業。企業註冊資本109600萬人民幣。通過天眼查大數據分析，上海禾賽科技有限公司共對外投資了7家企業，參與招投標項目40次，財產線索方面有商標信息99條，專利信息1025條，此外企業還擁有行政許可72個。

本文源自：金融界

作者：情報員