昇維旭申請半導體結構及其形成方法專利，提高結構可靠性和產品性能

金融界2025年7月25日消息，國家知識產權局信息顯示，深圳市昇維旭技術有限公司申請一項名爲“半導體結構及其形成方法”的專利，公開號CN120379278A，申請日期爲2025年04月。

專利摘要顯示，半導體結構及其形成方法，結構包括：多個間隔分佈的着陸部，每個着陸部位於對應的互連部的頂部且與其接觸連接，且着陸部在基底結構上的投影與導電部在基底結構上的投影部分重疊，互連部在基底結構上的投影位於着陸部在基底結構上的投影內；絕緣結構，絕緣結構覆蓋基底結構中未被互連部覆蓋的上表面及互連部和着陸部的側面；第一堆疊結構，覆蓋於絕緣結構和着陸部的頂面；多個間隔分佈的第一電極柱，每個第一電極柱貫穿嵌於第一堆疊結構中且與對應的着陸部接觸連接，第一電極柱在基底結構上的投影與導電部在基底結構上的投影部分重疊，且第一電極柱在基底結構上的投影位於着陸部在基底結構上的投影內。

天眼查資料顯示，深圳市昇維旭技術有限公司，成立於2022年，位於深圳市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本500000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，深圳市昇維旭技術有限公司共對外投資了1家企業，參與招投標項目8次，財產線索方面有商標信息47條，專利信息119條，此外企業還擁有行政許可15個。

本文源自：金融界

作者：情報員