長鑫科技申請半導體結構及其形成方法專利，有利於改善半導體結構的電學性能

金融界2025年6月28日消息，國家知識產權局信息顯示，長鑫科技集團股份有限公司申請一項名爲“半導體結構及其形成方法”的專利，公開號CN120224676A，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本公開實施例提供一種半導體結構及其形成方法，半導體結構包括：多個陣列排布的垂直晶體管，垂直晶體管包括沿第一方向依次分佈的第一摻雜區、溝道區以及第二摻雜區；多條沿第二方向延伸的位線，每條位線位於沿第二方向排布的多個第一摻雜區遠離溝道區的一側，且位線與第一摻雜區電連接；多條沿第三方向延伸的字線，每條字線環繞沿第三方向排布的多個溝道區，字線包括中間部和與中間部對應電連接的延伸部，沿第三方向上，中間部位於相鄰的溝道區之間，延伸部至少位於相鄰的第一摻雜區之間。

天眼查資料顯示，長鑫科技集團股份有限公司，成立於2016年，位於合肥市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本5777094.224萬人民幣。通過天眼查大數據分析，長鑫科技集團股份有限公司共對外投資了18家企業，參與招投標項目1079次，財產線索方面有商標信息229條，專利信息431條，此外企業還擁有行政許可33個。

本文源自：金融界

作者：情報員