長鑫科技申請半導體結構相關專利，有利於提高晶體管的電學性能

金融界2025年6月27日消息，國家知識產權局信息顯示，長鑫科技集團股份有限公司申請一項名爲“半導體結構、半導體器件及其製造方法”的專利，公開號 CN120224682A，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本公開實施例涉及半導體技術領域，提供一種半導體結構、半導體器件及其製造方法，半導體結構包括：間隔排布的多個晶體管，每一晶體管包括：柵極結構，具有沿第一方向上依次排布的第一部分、第二部分和第三部分；第一半導體通道和第二半導體通道，分別覆蓋第二部分沿第二方向上相對的兩個側壁，第一方向和第二方向相交；第一電接觸結構，與第一部分接觸連接，且與第一半導體通道和第二半導體通道接觸連接；第二電接觸結構和第三電接觸結構，分別覆蓋第三部分沿第二方向上相對的兩個側壁。

天眼查資料顯示，長鑫科技集團股份有限公司，成立於2016年，位於合肥市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本5777094.224萬人民幣。通過天眼查大數據分析，長鑫科技集團股份有限公司共對外投資了18家企業，參與招投標項目1079次，財產線索方面有商標信息229條，專利信息430條，此外企業還擁有行政許可33個。

本文源自：金融界

作者：情報員