上海邦芯半導體申請半導體結構製備相關專利，提高刻蝕工藝窗口

金融界2025年7月4日消息，國家知識產權局信息顯示，上海邦芯半導體科技有限公司申請一項名爲“一種半導體結構製備方法及半導體結構”的專利，公開號CN120261286A，申請日期爲2025年06月。

專利摘要顯示，本申請公開了一種半導體結構製備方法及半導體結構，方法包括：使用第一中性粒子與介質層進行第一反應，對自掩膜圖形側面露出的介質層的表面進行第一深度的第一刻蝕，以形成第一刻蝕結構；使用第二中性粒子與介質層進行第二反應，對第一刻蝕結構的底部進行第二深度的第二刻蝕，以形成第二刻蝕結構，並通過第二反應至少在第二刻蝕結構的底部上生成和吸附固態的阻擋層；使阻擋層解吸以去除；進行第二刻蝕和使阻擋層解吸的過程爲一至多次，直至使襯底表面自第二刻蝕結構的底部上露出爲止。

天眼查資料顯示，上海邦芯半導體科技有限公司，成立於2020年，位於上海市，是一家以從事批發業爲主的企業。企業註冊資本6166.6668萬人民幣。通過天眼查大數據分析，上海邦芯半導體科技有限公司共對外投資了5家企業，參與招投標項目14次，財產線索方面有商標信息17條，專利信息123條，此外企業還擁有行政許可2個。

本文源自：金融界

作者：情報員