中微半導體申請半導體結構相關專利，擴大了後續打擊截止層製程的工藝窗口

金融界2025年2月22日消息，國家知識產權局信息顯示，中微半導體設備（上海）股份有限公司申請一項名爲“半導體結構的處理方法、半導體結構及半導體處理裝置”的專利，公開號 CN 119497382 A，申請日期爲2023年8月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種半導體結構的處理方法、半導體結構及半導體處理裝置。處理方法包括：提供一基片，包括設置在襯底上的基底層，其具有側部自頂部表面朝向襯底方向逐漸向外延伸形成的坡度結構，坡度結構上覆蓋有截止層，截止層上設有電介質層；開啓源射頻、偏置射頻，通入第一刻蝕氣體，刻蝕電介質層，直到第三類孔暴露出截止層；降低偏置射頻的功率，使第一類孔、第二類孔和第三類孔的開口發生側向刻蝕；通入第二刻蝕氣體，對第三類孔暴露的截止層進行刻蝕，第二刻蝕氣體的流量隨刻蝕時間以斜率 k 線性提高，直到將第三類孔的截止層刻蝕到預設深度。本發明通過對不同深度不同深寬比的通孔中截止層餘量地控制，擴大了後續打擊截止層製程的工藝窗口。

天眼查資料顯示，中微半導體設備（上海）股份有限公司，成立於2004年，位於上海市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本62236.3735萬人民幣，實繳資本61927.9423萬人民幣。通過天眼查大數據分析，中微半導體設備（上海）股份有限公司共對外投資了27家企業，參與招投標項目65次，知識產權方面有商標信息72條，專利信息1454條，此外企業還擁有行政許可71個。

本文源自：金融界

作者：情報員