浙江芯晟半導體申請半導體器件製造相關專利，涉及半導體器件製造技術領域

金融界2025年7月12日消息，國家知識產權局信息顯示，浙江芯晟半導體科技有限責任公司申請一項名爲“一種半導體器件製造方法和半導體器件犧牲層刻蝕系統”的專利，公開號CN120288703A，申請日期爲2025年02月。

專利摘要顯示，本申請涉及半導體器件製造技術領域。具體涉及一種半導體器件製造方法和半導體器件犧牲層刻蝕系統。方法包括：一種半導體器件製造方法，包括對懸空結構的釋放步驟，其特徵在於，對懸空結構的釋放步驟包括以下步驟：提供半導體基體，半導體基體包括襯底層、位於襯底層表面的犧牲層、犧牲層背向襯底層表面的待釋放層，以及與犧牲層同層設置，連接待釋放層和襯底層的連接層；刻蝕待釋放層，形成釋放孔；使用混合腐蝕液，通過釋放孔腐蝕去除犧牲層；混合腐蝕液包括主腐蝕試劑和液態二氧化碳，混合腐蝕液在進入去除犧牲層的反應容器前，進行升溫加壓，使液態二氧化碳轉變爲超臨界流體二氧化碳，之後進入去除犧牲層的反應容器進行去除作業。

天眼查資料顯示，浙江芯晟半導體科技有限責任公司，成立於2023年，位於嘉興市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本150000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，浙江芯晟半導體科技有限責任公司共對外投資了2家企業，參與招投標項目168次，財產線索方面有商標信息4條，專利信息29條，此外企業還擁有行政許可7個。

本文源自：金融界

作者：情報員