武漢新芯申請半導體器件及其製造方法專利，減少製造半導體器件的工藝週期

金融界2025年8月23日消息，國家知識產權局信息顯示，武漢新芯集成電路股份有限公司申請一項名爲“半導體器件及其製造方法”的專利，公開號CN120527296A，申請日期爲2025年05月。

專利摘要顯示，本發明提供一種半導體器件及其製造方法，半導體器件的製造方法包括：提供一襯底；形成器件結構於所述襯底上；刻蝕所述器件結構兩側的所述襯底，以形成延伸進入所述襯底中的溝槽；形成層間介質層於所述器件結構上，且所述層間介質層填充所述溝槽；其中，所述溝槽中的層間介質層爲淺溝槽隔離結構。

天眼查資料顯示，武漢新芯集成電路股份有限公司，成立於2006年，位於武漢市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本847900.6412萬人民幣。通過天眼查大數據分析，武漢新芯集成電路股份有限公司共對外投資了2家企業，參與招投標項目214次，財產線索方面有商標信息68條，專利信息1758條，此外企業還擁有行政許可106個。

本文源自：金融界

作者：情報員