華通芯電申請半導體器件芯片及其製備方法專利，可有效實現應力釋放的過程

金融界2025年6月21日消息，國家知識產權局信息顯示，華通芯電（南昌）電子科技有限公司申請一項名爲“一種半導體器件芯片及其製備方法”的專利，公開號CN120184093A，申請日期爲2025年05月。

專利摘要顯示，本發明提供了一種半導體器件芯片及其製備方法，所述方法包括：在襯底上依次沉積N‑DBR層、有源層、P‑DBR層，在外圍沉積保護層，進行幹刻蝕，直至穿過保護層、P‑DBR層、有源層並深入N‑DBR層中，在P‑DBR層上蒸鍍P型電極，在襯底的一側蒸鍍N型電極；根據切割道圖案對芯片半成品進行幹刻蝕，直至穿過N‑DBR層、有源層、P‑DBR層、襯底並深入N型電極中，以得到切割道，沿切割道進行芯片分離，以得到目標半導體器件芯片。

天眼查資料顯示，華通芯電（南昌）電子科技有限公司，成立於2020年，位於南昌市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本10111.1111萬人民幣。通過天眼查大數據分析，華通芯電（南昌）電子科技有限公司共對外投資了1家企業，參與招投標項目5次，財產線索方面有商標信息1條，專利信息21條，此外企業還擁有行政許可3個。

本文源自：金融界

作者：情報員