長晶微電子申請非對稱的半導體放電管芯片及其製作方法專利，實現正向、負向過壓不同保護閾值的雙向保護功能

金融界2025年8月23日消息，國家知識產權局信息顯示，深圳長晶微電子有限公司申請一項名爲“非對稱的半導體放電管芯片及其製作方法”的專利，公開號CN120529601A，申請日期爲2025年07月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種非對稱的半導體放電管芯片，其包括基板、第一摻雜區、第二摻雜區、第三摻雜區、第四摻雜區、多個第五摻雜區、多個第六摻雜區、第一電極及第二電極。本發明還公開了一種非對稱的半導體放電管芯片的製作方法。發明的非對稱的半導體放電管芯片在第一摻雜區內形成深度從兩側到中間依次減小的多個第五摻雜區，在第二摻雜區內形成寬度從兩側到中間依次增大的多個第六摻雜區，使芯片形成NPN‑PNP雙三極管，不僅能滿足正極到負極的低壓快速導通，還能滿足負極到正極的高壓快速放電，從而實現正向、負向過壓不同保護閾值的雙向保護功能。本發明還具有結構簡單、製備工藝環保，且保護性能穩定可靠等特點。

天眼查資料顯示，深圳長晶微電子有限公司，成立於2019年，位於深圳市，是一家以從事批發業爲主的企業。企業註冊資本500萬人民幣。通過天眼查大數據分析，深圳長晶微電子有限公司財產線索方面有商標信息6條，專利信息21條，此外企業還擁有行政許可2個。

本文源自：金融界

作者：情報員