度亙核芯光電申請半導體激光芯片及其製作方法和激光設備專利，有效地實現雙向出光

金融界2025年8月16日消息，國家知識產權局信息顯示，度亙核芯光電技術（蘇州）股份有限公司申請一項名爲“半導體激光芯片及其製作方法和激光設備”的專利，公開號CN120497758A，申請日期爲2025年06月。

專利摘要顯示，本申請公開了一種半導體激光芯片及其製作方法和激光設備，涉及半導體技術領域。本申請實施例提供的半導體激光芯片包括外延片、第一膜層以及第二膜層。外延片包括沿半導體激光芯片的快軸方向依次層疊設置的第一量子阱結構、隧道結以及第二量子阱結構。第一膜層形成於外延片的前腔面，第二膜層形成於外延片的後腔面，第一膜層用於透過第一發光區產生的光子形成第一光束，並反射第二發光區產生的光子；第二膜層用於透過第二發光區產生的光子形成第二光束並反射第一發光區產生的光子。

天眼查資料顯示，度亙核芯光電技術（蘇州）股份有限公司，成立於2017年，位於蘇州市，是一家以從事專用設備製造業爲主的企業。企業註冊資本28978.94萬人民幣。通過天眼查大數據分析，度亙核芯光電技術（蘇州）股份有限公司共對外投資了11家企業，參與招投標項目39次，財產線索方面有商標信息17條，專利信息302條，此外企業還擁有行政許可16個。

本文源自金融界