臺亞半導體申請光照閘流管突波保護結構及具有其的光照雙向閘流管專利，提供有效的突波保護

金融界2025年4月10日消息，國家知識產權局信息顯示，臺亞半導體股份有限公司申請一項名爲“光照閘流管突波保護結構及具有其的光照雙向閘流管”的專利，公開號CN 119787270 A，申請日期爲2023年11月。

專利摘要顯示，一種光照閘流管突波保護結構及具有其的光照雙向閘流管。光照閘流管突波保護結構包含第一及第二端子、端點電阻、第一及第二P N P 型雙極性晶體管(BJT)、第一及第二NPN型BJT以及第一及第二基極電阻。這些PNP型BJT的射極通過端點電阻耦合至第一端子。第一PNP型BJT的集極及第一NPN型BJT的基極通過第一基極電阻耦合至第二端子。第二PNP型BJT的集極及第二NPN型BJT的基極通過第二基極電阻耦合至第二端子第PNP型BJT的基極耦合至第一NPN型BJT的集極。第二PNP型BJT的基極耦合至第二NPN型BJT的集極。這些NPN型BJT的集極相耦合。這些NPN型BJT的射極耦合至第二端子。

本文源自：金融界

作者：情報員