長鑫科技申請存儲單元及其製作方法以及半導體結構專利，提供一種新的存儲單元結構

金融界2025年1月31日消息，國家知識產權局信息顯示，長鑫科技集團股份有限公司申請一項名爲“存儲單元及其製作方法以及半導體結構”的專利，公開號 CN 119383951 A，申請日期爲2023年7月。

專利摘要顯示，本公開實施例涉及半導體領域，提供一種存儲單元及其製作方法以及半導體結構，其中，存儲單元包括：沿第一方向延伸的第一字線；沿第一方向延伸的第一位線，第一位線與第一字線沿第二方向排布，且第一位線與第一字線間隔；第一溝道層，第一溝道層位於第一位線及第一字線之間，且分別與第一位線及第一字線電連接；沿第三方向延伸的第二字線；沿第三方向延伸的第二溝道層，第二溝道層環繞第二字線，第二溝道層控制第一字線與第一位線之間的傳輸路徑導通與關斷；第二位線，第二位線至少位於第二字線沿第二方向的一側，且與第二溝道層電連接，與第一字線及第一位線在第三方向間隔，可以提供一種新的存儲單元結構。

天眼查資料顯示，長鑫科技集團股份有限公司，成立於2016年，位於合肥市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本5777094.224萬人民幣，實繳資本5363300萬人民幣。通過天眼查大數據分析，長鑫科技集團股份有限公司共對外投資了17家企業，參與招投標項目1088次，知識產權方面有商標信息207條，專利信息227條，此外企業還擁有行政許可28個。

本文源自：金融界

作者：情報員