長江存儲申請半導體結構及其製備方法、存儲系統專利，減小相鄰兩個垂直晶體管之間的漏電

金融界2025年6月27日消息，國家知識產權局信息顯示，長江存儲科技有限責任公司申請一項名爲“半導體結構及其製備方法、存儲系統”的專利，公開號CN120224684A，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本申請實施例提供了一種半導體結構及其製備方法、存儲系統，旨在減小相鄰兩個垂直晶體管之間的漏電。本申請實施例提供的半導體結構中，包括多個沿第二方向間隔設置的半導體柱，柵極結構和隔離結構交替間隔設置在相鄰兩個半導體柱之間；柵極結構和相鄰的半導體柱形成垂直晶體管，隔離結構中的導電塊位於兩個相鄰的垂直晶體管之間；在垂直晶體管被導通的過程中，垂直晶體管之間的導電塊可以使被導通的垂直晶體管中的電子不易穿過導電塊向相鄰的垂直晶體管移動，改善了相鄰垂直晶體管之間的耦合效應，進而減小了相鄰垂直晶體管之間的漏電。

天眼查資料顯示，長江存儲科技有限責任公司，成立於2016年，位於武漢市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本12469608.0404萬人民幣。通過天眼查大數據分析，長江存儲科技有限責任公司共對外投資了2家企業，參與招投標項目1393次，財產線索方面有商標信息977條，專利信息5000條，此外企業還擁有行政許可1005個。

本文源自：金融界

作者：情報員