長江存儲申請半導體結構及其形成方法、存儲器系統專利，可實現沿特定方向交替排布溝槽和隔離結構

金融界2025年6月23日消息，國家知識產權局信息顯示，長江存儲科技有限責任公司申請一項名爲“半導體結構及其形成方法、存儲器系統”的專利，公開號CN120187003A，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本公開提供了一種半導體結構及其形成方法、存儲器系統，所述半導體結構的形成方法包括：提供基底，所述基底包括沿第一方向堆疊排布的半導體層和第一介質層；所述第一方向爲所述基底的厚度方向；刻蝕所述第一介質層，以形成沿第二方向交替排布的溝槽和隔離結構；所述溝槽暴露所述半導體層；所述第二方向與所述第一方向垂直；在所述溝槽中形成有源結構。

天眼查資料顯示，長江存儲科技有限責任公司，成立於2016年，位於武漢市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本12469608.0404萬人民幣。通過天眼查大數據分析，長江存儲科技有限責任公司共對外投資了2家企業，參與招投標項目1390次，財產線索方面有商標信息977條，專利信息5000條，此外企業還擁有行政許可1005個。

本文源自：金融界

作者：情報員