長江存儲申請半導體器件及其製備方法、存儲系統專利，公開一種半導體器件及其製備方法、存儲系統

金融界2025年7月29日消息，國家知識產權局信息顯示，長江存儲科技有限責任公司申請一項名爲“半導體器件及其製備方法、存儲系統”的專利，公開號CN120390409A，申請日期爲2024年01月。

專利摘要顯示，本申請公開了一種半導體器件及其製備方法、存儲系統。該半導體器件包括：堆疊結構，包括沿第一方向交替堆疊的層間介質層和柵極層；以及柵線隔離結構，沿第二方向延伸並沿所述第一方向貫穿所述堆疊結構；其中，所述堆疊結構包括核心區以及沿所述第二方向位於所述核心區的至少一側的連接區，在第三方向上、所述柵極層位於所述核心區的尺寸大於其位於所述連接區的尺寸，在所述第一方向上、所述層間介質層靠近所述柵線隔離結構的厚度小於其遠離所述柵線隔離結構的厚度，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向兩兩相交。

天眼查資料顯示，長江存儲科技有限責任公司，成立於2016年，位於武漢市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本12469608.0404萬人民幣。通過天眼查大數據分析，長江存儲科技有限責任公司共對外投資了2家企業，參與招投標項目1395次，財產線索方面有商標信息978條，專利信息5000條，此外企業還擁有行政許可1005個。

本文源自：金融界

作者：情報員