芯聯集成電路製造申請半導體器件及其製備方法專利，提供一種半導體器件及其製備方法包括提供襯底在襯底上形成緩衝層等

金融界2025年8月6日消息，國家知識產權局信息顯示，芯聯集成電路製造股份有限公司申請一項名爲“一種半導體器件及其製備方法”的專利，公開號CN120435024A，申請日期爲2025年06月。

專利摘要顯示，本申請提供一種半導體器件及其製備方法，包括：提供襯底，在襯底上形成緩衝層，襯底和緩衝層均具有第一導電類型，其中，緩衝層的電阻率小於襯底的電阻率；在緩衝層上形成超結結構，其中，超結結構包括沿預定方向交替設置的至少兩個第一導電類型柱和至少兩個第二導電類型柱，預定方向平行於襯底的表面，其中，第一導電類型柱的電阻率小於襯底的電阻率；在超結結構上形成沿預定方向間隔設置的多個柵極結構，每個柵極結構分別對應覆蓋一個第一導電類型柱，並且相鄰兩個柵極結構之間的間隔露出一個第二導電類型柱的至少部分頂面；在每個第二導電類型柱的頂部形成第二導電類型的體區，並在柵極結構兩側的體區內形成第一導電類型的源區。

天眼查資料顯示，芯聯集成電路製造股份有限公司，成立於2018年，位於紹興市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本704664.1萬人民幣。通過天眼查大數據分析，芯聯集成電路製造股份有限公司共對外投資了19家企業，參與招投標項目1699次，財產線索方面有商標信息6條，專利信息717條，此外企業還擁有行政許可40個。

本文源自：金融界

作者：情報員