長飛先進半導體申請半導體器件及製備方法等相關專利，降低半導體器件導通電阻

金融界2025年7月9日消息，國家知識產權局信息顯示，長飛先進半導體（武漢）有限公司申請一項名爲“半導體器件及製備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛”的專利，公開號CN120282521A，申請日期爲2025年06月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種半導體器件及製備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛，其中，半導體器件包括：半導體本體，半導體本體包括阱區、第一區域和第二區域，第一區域設置於半導體本體的第一表面，阱區設置於第一區域遠離第一表面的一側；第一表面還設置有柵極溝槽和源極溝槽，第二區域設置於第一表面，並延伸至源極溝槽的底部和側壁，柵極位於柵極溝槽內；源極溝槽結構位於源極溝槽內；第一歐姆接觸層，位於第一表面，第一歐姆接觸層至少覆蓋部分第二區域；第二歐姆接觸層，位於第一歐姆接觸層遠離半導體本體的一側，第二歐姆接觸層至少覆蓋第一歐姆接觸層未覆蓋的第一表面的區域，實現降低半導體器件導通電阻，提高器件的導電效率。

天眼查資料顯示，長飛先進半導體（武漢）有限公司，成立於2022年，位於武漢市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本360000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，長飛先進半導體（武漢）有限公司參與招投標項目23次，專利信息61條，此外企業還擁有行政許可15個。

本文源自：金融界

作者：情報員