無錫曠通半導體申請超結半導體器件製備方法專利，當達到相同性能的情況下，半導體器件面積縮小，降低了成本

金融界2025年8月4日消息，國家知識產權局信息顯示，無錫曠通半導體有限公司申請一項名爲“超結半導體器件的製備方法”的專利，公開號CN120417453A，申請日期爲2025年05月。

專利摘要顯示，本發明涉及一種超結半導體器件的製備方法，其包括選取第一導電類型襯底，並在第一導電類型襯底正面生長一層第一導電類型第一外延層；在第一導電類型第一外延層的部分區域中注入第二導電類型離子；連續外延生長多層第一導電類型第一外延層並且在部分區域內均注入第二導電類型離子；高溫推進擴散形成第二導電類型第一柱；在多層第一導電類型第一外延層的正面生長第一導電類型第二外延層；在第一導電類型第二外延層對應第二導電類型第一柱的區域刻蝕第一溝槽；在第一溝槽內填充形成第二導電類型第二柱。

天眼查資料顯示，無錫曠通半導體有限公司，成立於2023年，位於無錫市，是一家以從事專用設備製造業爲主的企業。企業註冊資本3000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，無錫曠通半導體有限公司參與招投標項目1次，財產線索方面有商標信息5條，專利信息11條，此外企業還擁有行政許可8個。

本文源自：金融界

作者：情報員