合肥晶合申請半導體器件結構製造方法及結構專利，有效提高半導體器件性能

金融界2025年8月4日消息，國家知識產權局信息顯示，合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項名爲“一種半導體器件結構的製造方法及半導體器件結構”的專利，公開號CN120417471A，申請日期爲2025年07月。

專利摘要顯示，本發明涉及一種半導體器件結構的製造方法及半導體器件結構，屬於半導體制造技術領域。該方法包括：提供半導體襯底，在襯底上依次沉積柵極氧化層和高介電常數介電材料層；在高介電常數介電材料層上生成PMOS功函數層，該功函數層包括注入鎵離子的覆蓋層以及預設厚度的氧化鎵薄膜；製備僞柵極結構，依次沉積接觸蝕刻阻擋層和第零層間介質層並平坦化，該介質層包括硼含量不同的兩層硼磷硅玻璃薄膜；依次進行僞柵極去除、金屬填充及平坦化處理，形成具有集成金屬柵極和源漏接觸的半導體器件結構。本發明通過在PMOS區域引入鎵離子和氧化鎵薄膜，並採用雙層不同硼含量的硼磷硅玻璃作爲第零層間介質層，有效提高了半導體器件的性能和穩定性。

天眼查資料顯示，合肥晶合集成電路股份有限公司，成立於2015年，位於合肥市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本200613.5157萬人民幣。通過天眼查大數據分析，合肥晶合集成電路股份有限公司共對外投資了9家企業，參與招投標項目630次，財產線索方面有商標信息41條，專利信息1185條，此外企業還擁有行政許可21個。

本文源自：金融界

作者：情報員