長鑫科技申請半導體結構及其形成方法專利，提高半導體性能

金融界2025年1月31日消息，國家知識產權局信息顯示，長鑫科技集團股份有限公司申請一項名爲“半導體結構及其形成方法”的專利，公開號CN 119383955 A，申請日期爲2023年7月。

專利摘要顯示，本公開提供了一種半導體結構及其形成方法，該半導體結構包括：襯底和位於襯底上的堆疊結構；堆疊結構包括交替層疊的第一電極層和第一介質層；堆疊結構包括多個子堆疊結構，每個子堆疊結構均沿第一方向延伸，且多個子堆疊結構沿第二方向排布；每個子堆疊結構沿第二方向相對的兩個側壁中至少有一個側壁至少包括曲面，每個子堆疊結構沿襯底的厚度方向相對的兩個側壁爲平行於襯底的平面；第一方向與第二方向相交且均與襯底的厚度方向垂直；第二介質層，保形覆蓋於每個子堆疊結構的外壁以及相鄰的兩個子堆疊結構之間形成的第一凹槽的底面；第二電極層，保形覆蓋第二介質層。

天眼查資料顯示，長鑫科技集團股份有限公司，成立於2016年，位於合肥市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本5777094.224萬人民幣，實繳資本5363300萬人民幣。通過天眼查大數據分析，長鑫科技集團股份有限公司共對外投資了17家企業，參與招投標項目1088次，知識產權方面有商標信息207條，專利信息227條，此外企業還擁有行政許可28個。

本文源自：金融界

作者：情報員