中芯國際申請半導體結構及其形成與檢測方法專利，提高對僞柵層殘留物的檢測準確性

金融界2025年6月4日消息，國家知識產權局信息顯示，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司申請一項名爲“半導體結構及其形成方法、以及檢測方法”的專利，公開號CN120091576A，申請日期爲2023年11月。

專利摘要顯示，本發明實施例提供一種半導體結構及其形成方法、以及檢測方法，形成方法包括：去除僞柵結構的僞柵層後，利用金屬硅化物工藝進行僞柵殘留標定操作，用於將硅材料轉化爲金屬硅化物材料。本發明實施例通過利用金屬硅化物工藝進行僞柵殘留標定操作，即將硅材料轉化爲金屬硅化物材料，由於金屬硅化物材料含有金屬，與半導體材料、介電材料存在差異性，因此，在後續進行電子束檢測時，金屬硅化物材料與其他材料的背散射信號存在差異，易於被辨別，從而提高了對僞柵層殘留物的檢測準確性；而且，在利用金屬硅化物工藝進行僞柵殘留標定操作後，即可進行鍼對殘留物的檢測，有利於提高對僞柵層殘留物的檢測實時性。

天眼查資料顯示，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司，成立於2000年，位於上海市，是一家以從事專用設備製造業爲主的企業。企業註冊資本244000萬美元。通過天眼查大數據分析，中芯國際集成電路製造（上海）有限公司共對外投資了4家企業，參與招投標項目127次，財產線索方面有商標信息149條，專利信息5000條，此外企業還擁有行政許可443個。

本文源自：金融界

作者：情報員