華爲申請用於缺陷檢測的半導體裝置及其設計和製造方法專利，可評估檢測設備對於涉及多個層的缺陷的檢測能力

金融界2025年6月13日消息，國家知識產權局信息顯示，華爲技術有限公司申請一項名爲“半導體裝置及其設計和製造方法”的專利，公開號CN120149297A，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本公開的實施例提供了用於缺陷檢測的半導體裝置及其設計和製造方法，以及對應的檢測系統、設備、計算機可讀存儲介質和計算機程序產品，涉及半導體裝置的缺陷檢測領域。該半導體裝置包括：襯底以及缺陷結構區，缺陷結構區位於所述襯底上。其中所述缺陷結構區中的第一缺陷單元包括：第一層以及第二層，所述第二層位於所述第一層上，所述第一層和所述第二層中的至少一層包括第一類缺陷結構。該半導體裝置可以作爲標準缺陷樣品來評估檢測設備的檢測能力。由於該半導體裝置中的缺陷單元可以在多個層包括缺陷結構，該半導體裝置可以用來評估檢測設備對於涉及多個層的缺陷的檢測能力。

天眼查資料顯示，華爲技術有限公司，成立於1987年，位於深圳市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本4094113.182萬人民幣。通過天眼查大數據分析，華爲技術有限公司共對外投資了50家企業，參與招投標項目5000次，財產線索方面有商標信息5000條，專利信息5000條，此外企業還擁有行政許可1537個。

本文源自：金融界

作者：情報員