中芯國際申請半導體結構及其形成方法專利，利於控制源漏層的尺寸

金融界2025年5月28日消息，國家知識產權局信息顯示，中芯國際集成電路製造(上海)有限公司申請一項名爲“半導體結構及其形成方法”的專利，公開號CN120050971A，申請日期爲2023年11月。

專利摘要顯示，一種半導體結構及其形成方法，其中方法包括：在形成僞柵極之後，在隔離結構上形成初始第一介質層，初始第一介質層位於鰭部側壁，且初始第一介質層暴露出鰭部頂部；刻蝕暴露出的鰭部和初始第一介質層，在隔離結構上形成第一介質層，並在鰭部內形成凹槽，以初始第一介質層形成第一介質層，凹槽底部表面低於第一介質層頂部表面；在凹槽內形成源漏層；在第一介質層上形成第二介質層，第二介質層位於僞柵極側壁，第二介質層內具有開口，開口暴露出源漏層和第一介質層表面；在開口內形成導電層，利於控制源漏層的尺寸，且利於獲得導電層和源漏層之間的良好接觸，減少接觸電阻，從而提高器件的性能。

天眼查資料顯示，中芯國際集成電路製造(上海)有限公司，成立於2000年，位於上海市，是一家以從事專用設備製造業爲主的企業。企業註冊資本244000萬美元。通過天眼查大數據分析，中芯國際集成電路製造(上海)有限公司共對外投資了4家企業，參與招投標項目127次，財產線索方面有商標信息149條，專利信息5000條，此外企業還擁有行政許可443個。

本文源自：金融界

作者：情報員