華爲申請半導體結構及其製備方法、電子設備專利，降低半導體結構的記憶效應

金融界2025年8月6日消息，國家知識產權局信息顯示，華爲技術有限公司申請一項名爲“半導體結構及其製備方法、電子設備”的專利，公開號CN120435028A，申請日期爲2024年01月。

專利摘要顯示，本申請實施例提供一種半導體結構及其製備方法、電子設備，涉及半導體技術領域，用於降低半導體結構的記憶效應。半導體結構包括由層疊設置的溝道層和勢壘層組成的外延疊層，設置於勢壘層遠離溝道層一側的源極、柵極以及漏極，設置於源極和漏極之間的離子注入區。其中，離子注入區自外延疊層靠近源極一側的表面貫穿勢壘層並延伸至溝道層內。本申請實施例提供的半導體結構的離子注入區改變了外延疊層內的晶格結構，使晶格界面發生變化，使得離子注入區內形成漏電通道，增加離子注入區的導通能力。此外，離子注入區內的部分摻雜離子能夠帶來額外的導電特性，使離子注入區的導電性增強，提高離子注入區的導通能力，進而降低半導體結構的記憶效應。

天眼查資料顯示，華爲技術有限公司，成立於1987年，位於深圳市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本4104113.182萬人民幣。通過天眼查大數據分析，華爲技術有限公司共對外投資了52家企業，參與招投標項目5000次，財產線索方面有商標信息5000條，專利信息5000條，此外企業還擁有行政許可1516個。

本文源自：金融界

作者：情報員