長鑫科技申請半導體結構及其製造方法專利，有利於提高半導體結構的電學性能

金融界2025年6月14日消息，國家知識產權局信息顯示，長鑫科技集團股份有限公司申請一項名爲“半導體結構及其製造方法”的專利，公開號CN120152273A，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本公開實施例涉及半導體技術領域，提供一種半導體結構及其製造方法，半導體結構包括：第一摻雜結構，具有沿第一方向上依次排布的第一部分、第二部分和第三部分；間隔設置的第二摻雜結構和第三摻雜結構，第二摻雜結構與第一部分接觸連接，第三摻雜結構與第三部分接觸連接；其中，第一摻雜結構中摻雜有N型摻雜離子和P型摻雜離子中的一者，第二摻雜結構和第三摻雜結構中摻雜有N型摻雜離子和P型摻雜離子中的另一者，且沿第二方向相鄰的兩個第一摻雜結構與同一第三摻雜結構接觸連接；柵極結構，具有沿第二方向上相對的第一面和第二面，至少第一面與第二部分接觸連接，第二方向和第一方向相交。

天眼查資料顯示，長鑫科技集團股份有限公司，成立於2016年，位於合肥市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本5777094.224萬人民幣。通過天眼查大數據分析，長鑫科技集團股份有限公司共對外投資了19家企業，參與招投標項目1079次，財產線索方面有商標信息229條，專利信息393條，此外企業還擁有行政許可33個。

本文源自：金融界

作者：情報員