長興半導體申請存儲芯片封裝結構及其製備方法專利，克服現有層疊式芯片封裝結構中存在散熱不良等問題

金融界 2025 年 7 月 28 日消息，國家知識產權局信息顯示，廣東長興半導體科技有限公司申請一項名爲“一種存儲芯片的封裝結構及其製備方法”的專利，公開號 CN120379277A，申請日期爲 2025 年 04 月。

專利摘要顯示，爲克服現有層疊式芯片封裝結構中存在散熱不良，以及各存儲芯片之間體積膨脹率不同導致的應力的問題，本發明提供了一種存儲芯片的封裝結構，包括基板、控制芯片、導熱層、存儲芯片、導熱漿料層和封裝膠層，所述導熱層設置於所述控制芯片背離所述基板的表面，在多個所述存儲芯片的兩側分別形成有第一階梯面和第二階梯面，所述控制芯片、所述導熱層和所述存儲芯片位於所述封裝膠層中，所述導熱漿料層包括第一導熱漿料層和第二導熱漿料層，所述第一導熱漿料層覆蓋於所述第二階梯面，所述第二導熱漿料層覆蓋於所述封裝膠層的外表面。同時，本發明還公開了上述存儲芯片的封裝結構的製備方法。

天眼查資料顯示，廣東長興半導體科技有限公司，成立於2012年，位於東莞市，是一家以從事其他製造業爲主的企業。企業註冊資本6111.7922萬人民幣。通過天眼查大數據分析，廣東長興半導體科技有限公司共對外投資了1家企業，參與招投標項目1次，財產線索方面有商標信息10條，專利信息99條，此外企業還擁有行政許可12個。

本文源自：金融界

作者：情報員