甬矽電子獲得發明專利授權：“芯片散熱封裝結構和芯片散熱封裝結構的製備方法”

證券之星消息，根據天眼查APP數據顯示甬矽電子（688362）新獲得一項發明專利授權，專利名爲“芯片散熱封裝結構和芯片散熱封裝結構的製備方法”，專利申請號爲CN202411488938.2，授權日爲2025年3月7日。

專利摘要：本發明提供了一種芯片散熱封裝結構和芯片散熱封裝結構的製備方法，涉及芯片封裝技術領域，芯片散熱封裝結構包括基板、封裝芯片、導熱材料層和第一散熱蓋，封裝芯片貼裝在基板上；導熱材料層設置在封裝芯片遠離基板的一側；第一散熱蓋設置在基板上，並罩設在封裝芯片外，且第一散熱蓋至少部分位於導熱材料層遠離基板的一側；其中，第一散熱蓋靠近基板的一側設置有多個第一散熱凸塊，多個第一散熱凸塊均連接至封裝芯片背離基板的一側表面，導熱材料層與第一散熱蓋連接。相較於現有技術，本發明通過增設第一散熱凸塊，並結合導熱材料層的設計，能夠大幅提升散熱面積，無需擴大第一散熱蓋的設計尺寸，避免熱應力造成基板或芯片發生翹曲的問題。

今年以來甬矽電子新獲得專利授權14個，較去年同期增加了75%。結合公司2024年中報財務數據，2024上半年公司在研發方面投入了9398.43萬元，同比增52.57%。

數據來源：天眼查APP

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