鎵合半導體申請一種高耐壓HEMT器件及其驅動方法專利，提高HEMT耐壓性能

金融界2025年5月30日消息，國家知識產權局信息顯示，鎵合半導體（上海）有限公司申請一項名爲“一種高耐壓HEMT器件、及其驅動方法”的專利，公開號CN120076368A，申請日期爲2023年11月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種高耐壓HEMT器件、及其驅動方法，涉及微電子技術領域，包括：多層主體材料層；源極和漏極，源極和漏極均與多層主體材料疊疊設置；沿第一方向，極極和漏極分別位於多層主體材料層的兩側；或者，極極和漏極位於多層主體層的同一側，且極極和漏極分別位於不同檯面；第一柵極，第一柵極與極極位於多層主體材料層的同一側；第一柵極和極極設置設置；第二柵極，第二柵極與第一柵極位於多層主體材料層的同一側，第一柵極位於第二柵極和極極之間；第二柵極由多層主體材料層的嵌入多層主體材料層的內部，第二柵極用於控制沿第一方向的導電導電道；第一方向垂直多層主體材料層。本發明能夠提高HEMT耐壓性能和密度密度。

天眼查資料顯示，鎵合半導體（上海）有限公司，成立於2015年，位於上海市，是一家以從事批發業爲主的企業。企業註冊資本100萬人民幣。通過天眼查大數據分析，鎵合半導體（上海）有限公司財產線索方面有商標信息28條，專利信息18條。

本文源自：金融界

作者：情報員