清芯微儲能取得高耐壓高穩定性半導體器件專利，極大增加半導體器件耐壓性

金融界2025年6月21日消息，國家知識產權局信息顯示，北京清芯微儲能科技有限公司取得一項名爲“一種高耐壓高穩定性的半導體器件”的專利，授權公告號CN223007813U，申請日期爲2024年07月。

專利摘要顯示，本實用新型涉及MOS半導體技術領域，且公開了一種高耐壓高穩定性的半導體器件，包括由多個VDMOS元胞組成的VDMOS器件，所述VDMOS元胞包括漏極、半導體外延層、金屬源極和柵極；所述半導體外延層包括P阱層、N阱層、擴散層、襯底層以及重摻雜P阱層二；所述重摻雜P阱層二與漏極歐姆短接；所述P阱層包括輕摻雜P阱層一、重摻雜P阱層一、輕摻雜P阱層二以及輕摻雜P阱層三；所述N阱層包括輕摻雜N阱層以及重摻雜N阱層；所述擴散層包括側邊層、底摻雜層以及中間層；其中，所述低摻雜層內部摻入有高能雜質。本實用新型通過在襯底層中離子注入形成P體區，該P體區會阻隔漏極與電荷溝道之間形成最近導電路徑，這樣可以極大的增加該半導體器件的耐壓性，提高柵極對峰值電壓的承受能力。

天眼查資料顯示，北京清芯微儲能科技有限公司，成立於2023年，位於杭州市，是一家以從事科技推廣和應用服務業爲主的企業。企業註冊資本1000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，北京清芯微儲能科技有限公司專利信息39條。

本文源自：金融界

作者：情報員