長江存儲申請半導體器件相關專利，實現特定半導體器件結構設置

金融界2025年6月2日消息，國家知識產權局信息顯示，長江存儲科技有限責任公司申請一項名爲“半導體器件、存儲系統以及半導體器件的製造方法”的專利，公開號CN120076313A，申請日期爲2023年11月。

專利摘要顯示，本申請實施方式提供了一種半導體器件、存儲系統以及半導體器件的製造方法。半導體器件包括：位線，沿第一方向延伸；疊層結構，包括在第二方向相互堆疊的第一介質層和第一柵極層，第二方向相交於第一方向；以及多個半導體柱，沿第二方向貫穿疊層結構並分別與位線連接，其中，第一柵極層環繞於半導體柱，在第一方向上，相鄰兩個半導體柱對應的第一柵極層之間間隔設置。

本文源自：金融界

作者：情報員