羅姆申請SiC半導體裝置專利，可呈現特定的裝置結構

金融界2025年8月4日消息，國家知識產權局信息顯示，羅姆股份有限公司申請一項名爲“SiC半導體裝置”的專利，公開號CN120419306A，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本發明的SiC半導體裝置包括：SiC層，其包括主面；溝槽結構，其形成於所述主面，且在俯視時沿第一延伸方向延伸；以及平面電極型的柵極結構，其配置在所述主面上，且在俯視時沿所述第一延伸方向以外的第二延伸方向延伸。

本文源自：金融界

作者：情報員