美光科技申請共享源極/漏極區的半導體裝置專利，提升半導體裝置性能

金融界2025年5月7日消息，國家知識產權局信息顯示，美光科技公司申請一項名爲“具有在其中共享源極/漏極區的晶體管的半導體裝置”的專利，公開號CN119922909A，申請日期爲2020年7月。

專利摘要顯示，本申請案涉及具有在其中共享源極/漏極區的晶體管的半導體裝置。本文中公開一種設備，其包含：第一擴散區，其具有矩形形狀並且包含沿所述第一方向佈置的第一源極/漏極區和第二源極/漏極區；第二擴散區，其具有矩形形狀並且包含沿所述第一方向佈置的第三到第五源極/漏極區；第一柵電極，其沿第二方向延伸，並且設置於所述第一源極/漏極區和第二源極/漏極區之間以及所述第三源極/漏極區和第四源極/漏極區之間；和第二柵電極，其沿所述第二方向延伸，並且設置於所述第四源極/漏極區和第五源極/漏極區之間。所述第一源極/漏極區和第三源極/漏極區帶有彼此相同的電勢，且所述第二源極/漏極區和第四源極/漏極區帶有彼此相同的電勢。

本文源自：金融界

作者：情報員