鎧俠申請半導體存儲裝置專利，能夠適當製造

金融界2025年6月23日消息，國家知識產權局信息顯示，鎧俠股份有限公司申請一項名爲“半導體存儲裝置”的專利，公開號CN120187021A，申請日期爲2024年08月。

專利摘要顯示，實施方式提供一種半導體存儲裝置，其能夠適當製造。實施方式的半導體存儲裝置具備：多個導電層，包含：多個第1導電層，在積層方向上積層，遍及半導體柱區域、第1階面區域及第2階面區域在第1方向延伸；第2導電層，具備設置在第1階面區域的階面部；及第3導電層，具備設置在第2階面區域的階面部；半導體柱，設置在半導體柱區域；柵極絕緣膜，設置在多個導電層與半導體柱之間，包含電荷累積膜；以及第1絕緣部件，包含使第1階面區域在第1方向延伸的第1絕緣部、及使第2階面區域在第1方向延伸的第2絕緣部。第2絕緣部的第2方向的寬度小於第1絕緣部的第2方向的寬度。

本文源自：金融界

作者：情報員