鎧俠申請半導體裝置及其製造方法專利，裝置具備下部絕緣膜及多個下部焊盤

金融界2025年6月21日消息，國家知識產權局信息顯示，鎧俠股份有限公司申請一項名爲“半導體裝置及其製造方法”的專利，公開號CN120184127A，申請日期爲2024年09月。

專利摘要顯示，根據一個實施方式，半導體裝置具備下部絕緣膜、和設置在所述下部絕緣膜內的多個下部焊盤。所述裝置還具備設置在所述下部絕緣膜上的上部絕緣膜、和在所述下部絕緣膜內設置在所述多個下部焊盤上的多個上部焊盤。此外，所述多個上部焊盤所包含的第二焊盤配置在所述多個下部焊盤所包含的第一焊盤上，所述第二焊盤的構造與所述第一焊盤的構造不同。

本文源自：金融界

作者：情報員