索尼半導體申請防止半導體裝置電荷傳輸效率降低專利，解決防止半導體裝置中電荷傳輸效率降低的問題

金融界2025年8月16日消息，國家知識產權局信息顯示，索尼半導體解決方案公司申請一項名爲“半導體裝置”的專利，公開號CN120500925A，申請日期爲2024年01月。

專利摘要顯示，本發明解決了防止半導體裝置中電荷傳輸效率降低的問題。根據本發明的半導體裝置包括電荷傳輸部和傳輸路徑調整部。所述電荷傳輸部由MOS晶體管構成，所述MOS晶體管包括配置在半導體基板內的第一半導體區域、配置在所述半導體基板的表面附近的第二半導體區域以及埋入配置在所述半導體基板的表面附近且底部形成在第一半導體區域附近的作爲柵電極的傳輸柵極，所述電荷傳輸部被構造爲將電荷從第一半導體區域和第二半導體區域中的一個傳輸到另一個。所述傳輸路徑調整部與所述傳輸柵極相鄰配置，底部由形成在所述傳輸柵極的底部附近的絕緣體構成。所述傳輸路徑調整部調整在所述電荷傳輸部中的電荷的傳輸路徑。

本文源自：金融界

作者：情報員