江蘇卓勝微申請半導體器件及射頻開關器件專利，有效降低 MOS 管的 FOM

金融界 2025 年 2 月 22 日消息，國家知識產權局信息顯示，江蘇卓勝微電子股份有限公司申請一項名爲“半導體器件及射頻開關器件”的專利，公開號 CN 119497416 A，申請日期爲 2024 年 11 月。

專利摘要顯示，本發明涉及半導體器件技術領域，公開了一種半導體器件及射頻開關器件，半導體器件包括：襯底層；埋氧層，形成在襯底層的一側表面上；有源層，形成在埋氧層遠離襯底層的一側表面上，有源層中形成有多個淺溝槽隔離結構以及相鄰的淺溝槽隔離結構之間的有源區；主管柵極結構，形成在至少一個有源區遠離埋氧層的一側面上；其中，有源區的厚度爲至和/或，有源區包括位於中間區域的體區、位於體區和淺溝槽隔離結構之間的源漏區、位於體區和有源區上表面之間的優化區，優化區還與源漏區接觸，優化區的摻雜濃度高於 5E14/cm3。本發明能夠減少 MOS 管的寄生電容 Coff，有效降低 MOS 管的 FOM。

天眼查資料顯示，江蘇卓勝微電子股份有限公司，成立於2012年，位於無錫市，是一家以從事研究和試驗發展爲主的企業。企業註冊資本53381.5206萬人民幣，實繳資本21867.6506萬人民幣。通過天眼查大數據分析，江蘇卓勝微電子股份有限公司共對外投資了5家企業，參與招投標項目56次，知識產權方面有商標信息27條，專利信息228條，此外企業還擁有行政許可39個。

本文源自：金融界

作者：情報員