長鑫芯瑞申請降低位線製作難度的半導體器件及其製作方法專利，可降低位線製作難度

金融界2025年8月4日消息，國家知識產權局信息顯示，長鑫芯瑞存儲技術（北京）有限公司申請一項名爲“半導體器件及其製作方法”的專利，公開號CN120417378A，申請日期爲2025年07月。

專利摘要顯示，本公開涉及半導體技術領域，提供一種半導體器件及其製作方法。用於解決如何降低位線製作難度的技術問題。該製作方法包括：提供基底，基底包括多個有源層以及分隔各個有源層的容置空間；有源層包括第一部分和第二部分；沿第一部分指向第二部分的方向，第二部分在第一方向上的尺寸逐漸減小；在容置空間內形成環繞第一部分的填充結構以及覆蓋填充結構的第一犧牲層；第一犧牲層從填充結構的表面凸出；剩餘的容置空間暴露沿第二方向排布的多個第二部分；在剩餘的容置空間中形成位線結構。如此，可以形成自對準位線，規避高難度、高深寬比的位線刻蝕工藝，降低位線製作難度。

天眼查資料顯示，長鑫芯瑞存儲技術（北京）有限公司，成立於2024年，位於北京市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本20000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，長鑫芯瑞存儲技術（北京）有限公司專利信息13條，此外企業還擁有行政許可1個。

本文源自：金融界

作者：情報員