華爲 復旦申請一種半導體器件及其製備方法專利，得到具有較低工作電壓和功耗的反相器

金融界2025年6月28日消息，國家知識產權局信息顯示，華爲技術有限公司;復旦大學申請一項名爲“一種半導體器件及其製備方法”的專利，公開號CN120224777A，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本申請提供一種半導體器件及其製備方法，其中，該半導體器件包括：襯底；有源層，設置於該襯底上，該有源層包括第一溝道部和第二溝道部；柵極，設置於該襯底上，且包括第一柵極和第二柵極，該第一柵極和該第二柵極在該襯底上的垂直投影，分別與該第一溝道部、該第二溝道部在該襯底上的垂直投影重疊；第一肖特基電極，設置於該襯底上，且與該有源層相接觸，其中，該第一肖特基電極與該有源層之間形成第一肖特基結，且該有源層中形成該第一肖特基結的部分，與該第一溝道部的摻雜類型相同。實施本申請實施例可以得到具有較低的工作電壓和功耗，以及具有較大的電壓增益和邏輯擺幅的反相器。

本文源自：金融界

作者：情報員