長飛先進半導體申請半導體器件及製備方法相關專利，有效屏蔽柵極溝槽的底部和槽角的高電場

金融界 2025 年 7 月 7 日消息，國家知識產權局信息顯示，長飛先進半導體（武漢）有限公司申請一項名爲“半導體器件及製備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛”的專利，公開號 CN120264837A，申請日期爲 2025 年 06 月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種半導體器件及製備方法、功率模塊、功率轉換電路和車輛，半導體器件包括：半導體本體，半導體本體包括相對設置的第一表面和第二表面，半導體本體包括阱區、第一區域，第一區域位於第一表面，阱區位於第一區域遠離第一表面的一側；第一表面設置有柵極溝槽，柵極溝槽從第一表面延伸至半導體本體中；第一外延層，位於柵極溝槽的底部；第一絕緣層，位於柵極溝槽的側壁以及第一外延層靠近第一表面的一側；位於柵極溝槽內且位於第一絕緣層遠離半導體本體一側的柵極；位於第一表面的源極；位於第二表面的漏極。

天眼查資料顯示，長飛先進半導體（武漢）有限公司，成立於2022年，位於武漢市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本360000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，長飛先進半導體（武漢）有限公司參與招投標項目23次，專利信息51條，此外企業還擁有行政許可15個。

本文源自：金融界

作者：情報員