安徽格恩半導體申請一種GaN基激光二極管結構專利，達到較好的光學限制效果

金融界2025年6月9日消息，國家知識產權局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司申請一項名爲“一種GaN基激光二極管結構”的專利，公開號CN120109642A，申請日期爲2025年03月。

專利摘要顯示，本發明涉及一種GaN基激光二極管結構，包括GaN襯底，襯底上生長外延層，外延層包括從下至上依次設置的下覆蓋層、下波導層、量子阱、上波導層、電子阻擋層、上覆蓋層和外延接觸層；外延層上設有歐姆接觸層，所述歐姆接觸層上鍍膜金屬覆蓋層，沿金屬覆蓋層、歐姆接觸層、外延接觸層、上覆蓋層製作接近垂直角的脊結構，在脊結構覆蓋絕緣層，並覆蓋電子阻擋層，絕緣層外側覆蓋P電極，減薄襯底，製作N電極形成激光二極管結構。本發明採用ITO作爲歐姆接觸層，並搭配Pd作爲光刻掩模版；利用ITO側蝕角度更大，結合Pd掩模，形成直角面；可以形成良好的歐姆接觸以及接近垂直角的脊結構，達到較好的光學限制效果。

天眼查資料顯示，安徽格恩半導體有限公司，成立於2021年，位於六安市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本8505.7882萬人民幣。通過天眼查大數據分析，安徽格恩半導體有限公司共對外投資了1家企業，參與招投標項目4次，財產線索方面有商標信息2條，專利信息483條，此外企業還擁有行政許可12個。

本文源自：金融界

作者：情報員