威世半導體申請芯片級封裝光電二極管專利，包括位於芯片級封裝光電二極管第一側的第一導電層

金融界2025年7月7日消息，國家知識產權局信息顯示，威世半導體有限公司申請一項名爲“芯片級封裝光電二極管”的專利，公開號CN120266600A，申請日期爲2022年12月。

專利摘要顯示，一種芯片級封裝光電二極管包括位於芯片級封裝光電二極管的第一側的第一導電層。第一觸點位於芯片級封裝光電二極管的第二側。摻雜劑擴散層形成在第一導電層和第一觸點之間，從而將第一導電層電連接到第一觸點，摻雜劑擴散層從芯片級封裝光電二極管的第一側完全穿過芯片級封裝光電二極管的耗盡區行進到芯片級封裝光電二極管的第二側。

本文源自：金融界

作者：情報員