中微半導體申請發光二極管外延結構形成方法等專利，提高了LED的發光強度

金融界2025年6月27日消息，國家知識產權局信息顯示，中微半導體設備（上海）股份有限公司申請一項名爲“發光二極管的外延結構的形成方法及其形成的外延結構、可讀存儲介質、半導體處理設備”的專利，公開號CN120224861A，申請日期爲2023年12月。

專利摘要顯示，本發明公開了一種發光二極管的外延結構的形成方法及其形成的外延結構、可讀存儲介質、半導體處理設備。該形成方法包括：提供一基片，所述基片包含依次堆棧設置在襯底上的n型外延層、量子阱層；在量子阱層上循環進行多個生長週期製備電子阻擋層；每個生長週期包含第一子週期、第二子週期；第一子週期中，在量子阱層上形成摻雜鎂的第一阻擋層；第二子週期中，在第一阻擋層上形成摻雜鎂的第二阻擋層，第二阻擋層的鎂摻雜濃度大於第一阻擋層，使得第二阻擋層中的鎂可以擴散至第一阻擋層中，最終二者濃度相當。

天眼查資料顯示，中微半導體設備（上海）股份有限公司，成立於2004年，位於上海市，是一家以從事專用設備製造業爲主的企業。企業註冊資本62236.3735萬人民幣。通過天眼查大數據分析，中微半導體設備（上海）股份有限公司共對外投資了29家企業，參與招投標項目66次，財產線索方面有商標信息76條，專利信息1486條，此外企業還擁有行政許可72個。

本文源自：金融界

作者：情報員