蘇州紫燦申請深紫外LED外延片及其外延生長方法專利，提高深紫外LED外延片的發光效率

金融界2025年2月13日消息，國家知識產權局信息顯示，蘇州紫燦科技有限公司申請一項名爲“一種深紫外LED外延片及其外延生長方法”的專利，公開號CN 119403310 A，申請日期爲2024年10月。

專利摘要顯示，本發明提供了一種深紫外LED外延片及其外延生長方法，上述深紫外LED外延片包括沿生長方向依次層疊設置的襯底、緩衝層、本徵層、電子注入層、電流擴展層、量子阱有源層、電子阻擋層、空穴注入層以及歐姆接觸層，其中，量子阱有源層以及電子阻擋層之間還設置有雜質吸收層，雜質吸收層的材料爲AlGaN，雜質吸收層的至少一部分爲非故意摻雜；本發明通過在電子注入層至雜質吸收層之間形成N型雜質濃度梯度，同時在空穴注入層至雜質吸收層之間形成P型雜質濃度梯度，從而促使N型雜質和P型雜質向雜質吸收層內部擴散，進一步提高量子阱有源層的輻射覆合效率，最終提高深紫外LED外延片的發光效率。

天眼查資料顯示，蘇州紫燦科技有限公司，成立於2018年，位於蘇州市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備製造業爲主的企業。企業註冊資本2000萬人民幣，實繳資本2000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，蘇州紫燦科技有限公司參與招投標項目1次，知識產權方面有商標信息2條，專利信息80條，此外企業還擁有行政許可7個。

本文源自：金融界

作者：情報員